三星英特尔纳米英特尔-美光联合推出34纳米多层单元芯片 走在业界前端

英特尔-美光联合推出34纳米多层单元芯片 走在业界前端

时间:2011年12月02日
英特尔(Intel)与美光(Micron)合作推出了34纳米32Gb的多层单元(MLC)芯片,是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件,据称在制程竞赛方面走在了东芝(Toshiba)、三星(Samsung)和其它厂商的前面。  分 iPhone 4供不应求真相:为维持高额利润功能信号完整性力科SI Studio软件包增强分析仿真能力医疗半导体电子业界看好医疗电子行业 32位MCU抢食市场台币晶片记忆体海力士34亿台币购入台湾茂德8.6%股权再结盟产业台湾规格LED生产对台湾产业冲击CP643E如何调X.Y伺服箱脉冲欧洲德国山西山西通用电池瞄准国际市场蓄电池包销欧洲世界首个”可调光有机EL灯具量产成功材料柔性线路板Rogers在苏州新建柔性PCB材料工厂
英特尔(Intel)与美光(Micron)合作推出了34纳米32Gb的多层单元(MLC)芯片,是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件,据称在制程竞赛方面走在了东芝(Toshiba)、三星(Samsung)和其它厂商的前面。

  分析师对英特尔-美光的NAND声明有何看法?好消息:英特尔和美光在NAND闪存领域突破了1.00美元/GB的障碍。坏消息:时机不对。

  “NAND市场供应过剩,”Objective Analysis的分析师Jim Handy表示,“SanDisk最近表示,全年都将保持供过于求状态。我们预计目前的供应过剩局面将持续到2008年底。”

  2009年前景如何?“转向34纳米可能导致NAND市场继续供求过剩,持续时间可能长于Objective Analysis在2007年12月的预测,当时我们预测供应过剩局面将持续到2009年年中。转向34纳米可能导致供应过剩局面再延长一个季度,”Handy警告说。

  另一方面,英特尔和美光在NAND领域取得了几个方面的技术领先地位。上述34纳米器件是由英特尔与美光的合资企业IM Flash Technologies LLC开发的。

  “双方表示他们在2006年进入该市场,当时采用的是72纳米技术,他们认为当时比竞争对手落后两年左右,”Handy表示。英特尔和美光“追上并超过了竞争对手,大约领先对手六个月。”

  英特尔和美光在其它方面也走在了前面。Handy表示:“采用172mm2裸片面积和300mm晶圆,英特尔和美光估计每片晶圆可以得到大约400个裸片,32Gb芯片的价格将略低于4.00美元,相当于大约0.99美元/GB。”

  “这款产品将使两家公司成为业内首次突破1.00美元/GB关口的公司,”他说,“要知道,目前的MLC NAND价格徘徊在2.50美元/GB左右。该产品的价格相当于利用300mm晶圆生产的54纳米MLC芯片,或者利用200mm晶圆生产的45纳米MLC NAND。”

  他们能否保持领先优势?“多数NAND厂商都计划今年提高300mm生产线的45纳米芯片产量,300mm生产线的45纳米MLC NAND生产成本约为1.75美元/GB,”他说,“如果成本降到0.99美元/GB,只要NAND价格保持在其竞争对手的成本之上,则IM Flash新推出的芯片预计可以实现令人瞩目的利润率。”
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