器件电荷转换器IR新一代150V及200V功率MOSFET器件通态电阻降低高达56%

IR新一代150V及200V功率MOSFET器件通态电阻降低高达56%

时间:2011年12月02日
(华强电子世界网讯)国际整流器公司 (International Rectifier,IR) 推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494 HEXFET N沟道功率MOSFET,成功地把器件通态电阻减低高达56%。与市场上同类器件中相应通态电阻 太阳能电池荧光粉太阳能LED灯光的节能性和艺术性索尼终端电子索尼展示13.3英寸柔性电子纸功率数字双数凌力尔特推出超低功率14位、150Msps模数转换器LTC2262隔离器典型器件Optekinc推出2Mbd传输速率的光隔离器OPI1268图像视频传感器Ovt推出500万像素SoC传感器OV5640计划合约金太阳英利获“金太阳计划”70%太阳能模组合约nxt一代和二代有什么区别代工处理器公司台积电赢得AMD代工合同 或明年第二季度开工出厂价成本日光灯LED照明已处于启动的临界状态
(华强电子世界网讯)国际整流器公司 (International Rectifier,IR) 推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494 HEXFET N沟道功率MOSFET,成功地把器件通态电阻减低高达56%。与市场上同类器件中相应通态电阻的电荷值相比,新器件的栅漏 (Gate-to-drain,即Miller) 电荷减低达50%。

若在典型的150W正激转换器应用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件,效率可提升0.5%,这将导致器件结温降低15°C至20°C。

新MOSFET是专为正激或推挽式功率转换器拓朴中的原边开关应用而设计,适用于电信及网络系统中的板上型功率模块。

IRF7492及IRF7494具有低通态电阻 (RDS(on)) 和栅电荷,最适用于高达500kHz的直流-直流转换器开关应用系统,栅电压最高达20V。新MOSFET还具有低栅阻抗,能将开关损耗降至前所未有的水平。

全新IRF7492及IRF7494 HEXFET MOSFET已有供应。数据册详载于IR网页 http://www.irf.com,基本规格如下:
(编辑 草色)
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