TD-SCDMA载波增益飞思卡尔高功率多级RFIC MW6IC2240NB用于TD-SCDMA基站

飞思卡尔高功率多级RFIC MW6IC2240NB用于TD-SCDMA基站

时间:2011年12月02日
在全球掀起部署下一代无线标准产品的浪潮中,飞思卡尔半导体(FreescaleSemiconductor)日前为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOSFET。   新近优化的飞思 器件图形视频TI推出OMAP35x 数字视频软件开发套件 (DVSDK)批评新闻线索邮箱欧姆龙推出超细型继电器 可用于5A负载中国客户嵌入式Futuremark开启中国业务 面向汽车及嵌入式设备电缆上海集团中国电缆“老大”收购沈阳开元台湾蓝宝石基板掀上市潮 厂商积极募资拼扩产专项基金企业产业首批5亿元物联网专项基金申报启动光刻电子束设备Mapper Lithography获得1000万欧元资助 大力开发无掩模光刻设备批评新闻线索邮箱SENSIO推出基于XILINX SPARTAN-3 FPGA的新款3D视频处理器量产内存台湾地区钰创成功量产第一颗8Mbx32 DDR内存
在全球掀起部署下一代无线标准产品的浪潮中,飞思卡尔半导体(FreescaleSemiconductor)日前为适用于时分同步码分多址(TD-SCDMA)无线基站推出高功率多级射频功率LDMOSFET。

  新近优化的飞思卡尔MW6IC2240NB的高输出水平使OEM能够把部件数量从以前的2-3个设备减少到一个,不但节约了电路板空间,而且降低了功率消耗和成本。

  MW6IC2240NB是一个LDMOS双级RFIC。当用于28V的最终放大器应用上时,在输出功率为35dBm的2,010MHz到2,025MHz的频率范围内,能够提供28dB的增益、-47dBc的ALT1和-49dBc的ALT2(6载波TD-SCDMA信号)。MW6IC2240NB的操作电压是26至32伏,具有集成的静态电流温度补偿功能,采用TO-272塑料封装。

  除MW6IC2240NB外,飞思卡尔还推出了另外6款适合于多载波应用(如CDMA、W-CDMA和TD-SCDMA)的LDMOS和MOSFET功率放大器。他们运行在2010至2170MHz的频率范围内,这些设备是:

  MHV5IC2215N:双级LDMOS驱动放大器,具有23dBm的输出功率、27.5dB的增益、49dBc的ALT1和-50dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。.

  MRF6S21060N:N信道、增强模式横向功率MOSFET,具有35dBm的输出功率、15.5dB的增益、-48dBc的ALT1和-49dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号).

  MRF6S21100N:N信道、增强模式横向功率MOSFET,具有35dBm的输出功率、14.5dB的增益、-49dBc的ALT1和-51dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号).

  MRF6S21100H:N信道、增强模式横向功率MOSFET,具有35dBm的输出功率、16dB的增益、-51dBc的ALT1和-53dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。

  MW6IC2015NB:双级LDMOS驱动放大器,具有25dBm的输出功率,27dB的增益、-50dBc的ALT1和-52dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。

  MRF7S19080H:N信道、增强模式横向功率MOSFET,具有35dBm的输出功率、18db的增益,-51dBc的ALT1和-52dBc的ALT2(6个载波的TD-SCDMA信号)。

  所有设备都符合RoHS标准,具有内部匹配的输入和输出,可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了MRF6S21100H和MRF7S19080H外,所有其他设备都采用飞思卡尔超模压塑料封装,温度范围为200度。

来源:国际电子商情

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