寄存器操作模式基于FPGA的DDR内存条的控制研究与设计

基于FPGA的DDR内存条的控制研究与设计

时间:2011年12月02日
1 内存条的工作原理  DDR内存条是由多颗粒的DDR SDKAM芯片互连组成,DDR SDRAM是双数据率同步动态随机存储器的缩写。DDR SDRAM采用双数据速率接口,也就是在时钟的正沿或负沿都需要对数 基站家庭北京Picochip加速扩展 扩大在英国和中国运营规模集线器设备芯片威锋电子USB 3.0集线器控制芯片充电功能三星苹果公司产品CES众厂商不给力 简单模仿不如粗暴抄袭驱动器电流器件IR推出节能汽车栅极驱动应用推出坚固可靠的600V IC系列平台系统产品Wind River推出VxWorks Cert新版认证文档FUJI线路图,谁要?业者台湾产业CIGS产业多头马车运作中小厂不得其门而入防火墙双频局域网美国网件推出业界第一个双频三模无线VPN防火墙温度产品成本二极管+IGBT:新架构能带来什么新应用?
1 内存条的工作原理

  DDR内存条是由多颗粒的DDR SDKAM芯片互连组成,DDR SDRAM是双数据率同步动态随机存储器的缩写。DDR SDRAM采用双数据速率接口,也就是在时钟的正沿或负沿都需要对数据进行采样。在本设计中采用的内存是hynix公司的lGB的HYMD564M646CP6-J。内存条的工作原理与单颗粒内存芯片的工作原理一样,主要的控制信号以及控制信号完成的主要功能如表1所示。

  以上的控制信号及地址信号都是由差分时钟信号中CK的正沿触发。DDR SDRAM必须按照一定的工作模式来完成初始化,完成初始化后才能进入到读写过程。DDR SDRAM的控制流程如图1所示。

  初始化的过程为:(1)上电后,延时200us等待时钟稳定,然后将CKE拉高,执行一次NOP或者DESELECT操作。(2)执行一次precharge all操作。(3)设置扩展模式寄存器(BAl为低电平BA0为高电平)使能DLL。(4)设置模式寄存器(BAl,BA0均为低电平)复位DLL。(5)执行一次pre-charge all指令。(6)再经过2个自刷新(Auto refresh)指令后再次设置模式寄存器设置操作模式。(7)延时200个周期才能进行读操作。DDR SDRAM的扩展模式寄存器和模式寄存器的定义如图2和图3所示。

  完成初始化后进入图1中的IDEL状态,此时可以进行读写操作。在进行写操作时,首先要进入Row active状态,此时选中要操作的bank与row。然后执行NOP操作等待tRCD的时间后可以进入写状态。

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