英特尔内存美国英特尔CTO:PRAM将于07年下半年开始量产

英特尔CTO:PRAM将于07年下半年开始量产

时间:2011年12月02日
美国英特尔公司在2007年4月16日于北京举行的IDFSpring2007上公开了此前该公司一直在开发的PRAM(相变内存)试制晶圆。英特尔首席技术官(CTO)JustinRattner在主题讲演中表示:“将于2007年 工作组标准全会SOA标准工作组2010年第二次全会在沪召开测试系统汽车行业ELMOS选择科利登FALCON系统测试汽车电子半导体器件求助!!!FUJI IP3出现 问题,大侠高手进,十分着急,在线等项目美国供应商美国光伏市场潜力巨大 筹备项目容量超17GW戴尔品牌罗纳尔多联想CMO迪帕克:联想不会成为第二个戴尔飞利浦长城显示器飞利浦高层:长城想要全面控股冠捷难以达成定义斜杠语句Keil C51中直接使用二进制数方法应用程序网络智能手机Mobilebeat 2010头脑风暴:智能手机可以取代PC影像使用者显示器友达光电亮相3D液晶电视面板

美国英特尔公司在2007年4月16日于北京举行的IDFSpring2007上公开了此前该公司一直在开发的PRAM(相变内存)试制晶圆。英特尔首席技术官(CTO)JustinRattner在主题讲演中表示:“将于2007年下半年开始量产”。“首先将考虑替代NOR型闪存。但并不仅限于此,还有可能要替代DRAM。这是一项值得关注的技术”(Rattner)。
PRAM也被称作相变内存,美国英特尔、韩国三星电子和意法半导体等公司正在将其作为继闪存之后的新型非挥发内存而加紧开发。英特尔此前曾表示将于2007年第1季度开始供应采用90nm工艺制造的PRAM评测样品。

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