标准栅极器件IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的新产品

IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的新产品

时间:2011年12月02日
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)拓展了HEXFET功率MOSFET产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯 宏基解决方案平板Acer选择Atmel的maXTouch解决方案助力10.1’Android触摸屏平板电脑目录处理器功耗威盛低功耗芯片技术入选《节能推荐目录》半导体汽车系统汽车半导体产品将持续增长中国技术信息中国车联网面临的五大问题及关键突破点MathWorks HDL 工具新添 Xilinx FPGA 硬件验证功能存储器温度传感器阈值安森美为DDR3存储器模块应用推出温度传感器CAT34TS02市场晶粒明年台北LEDforum: LED市场及应用成长评析 两岸合作创契机CP43E的TABLE不能够分开单独生产?一定要两个连接一起生产吗?华为美国合同华为借道Sprint掌管创业公司进军美市场

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)拓展了HEXFET功率MOSFET产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS)及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:由于新器件的尺寸仅为0.9mm,并具有标准引脚,可提供高额定电流和低导通电阻,因此与需要多个并行元件的解决方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。

所有器件都具有低热阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1标准,所采用的环保材料既不含铅、溴或卤,也符合有害物质管制指令(RoHS)

产品基本规格

器件编号

封装

电压

电流

导通电阻

栅极电荷类型

栅极

IRFH5004TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

2.6 mOhm

73 nC

标准

IRFH5006TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

4.1 mOhm

67 nC

标准

IRFH5106TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

5.6 mOhm

50nC

标准

IRFH5206TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

98A

6.7 mOhm

40 nC

标准

IRFH5406TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

40A

14.4 mOhm

23 nC

标准

IRFH5007TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

100A

5.9 mOhm

65 nC

标准

IRFH5207TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

71A

9.6 mOhm

39 nC

标准

IRFH5010TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

9.0 mOhm

65 nC

标准

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