三星纳米尚义台积电全速进军18英寸晶圆时代

台积电全速进军18英寸晶圆时代

时间:2011年12月02日
在日前于美国加州举行的2011年台积电技术研讨会(Technology Symposium)上,该公司透露了更多有关18英寸晶圆制造计划的细节。根据业界消息,台积电正全速进军18英寸晶圆技术领域,主要目 MCS30操作资料说明英特尔公司英特尔演讲人赛灵思在IDF China上展示“最高性能”FPGA加速模块可编程电位数字数字可编程电位计揭密美国研究出一种可促使LED更有效开发的新技术电压电源设备SCHURTER推出UP1欠压脱扣器开关明年耗电量价差东贝:LED、CCFL 明年无价差求FLEXA破解,试用版怎么破解[CP4] Vision System Alarm芯片代工厂商产能增长幅度过快 下半年恐致供过于求
在日前于美国加州举行的2011年台积电技术研讨会(Technology Symposium)上,该公司透露了更多有关18英寸晶圆制造计划的细节。根据业界消息,台积电正全速进军18英寸晶圆技术领域,主要目的除了降低制造成本,也试图借此领先诸如Globalfoundries、三星(Samsung)、联电(UMC)等竞争对手一步。

台积电进军18英寸晶圆技术领域还有另一个动机——根据该公司资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)的说法,一旦进入18英寸晶圆时代,该公司所需的工程师人数也将减少;他在接受EETimes访问时表示,台积电进入18英寸晶圆制造约需十年的过渡期,届时所需的工程师人数会比现在少7,000人。

蒋尚义指出,台积电进军18英寸晶圆制造有两个考量:首先,该公司认为随着时间推移,将越来越难招募到「好的工程师人才」;其次,台积电最后仅需要少数几座18英寸晶圆厂,就能在未来满足客户的需求。与12英寸晶圆厂相较,新一代晶圆尺寸整体生产力预计可增加1.8倍。晶圆厂变少,就不需要那么多工程师。

另一方面,台积电也预期将增加研发与资本支出,特别是在该公司持续致力于缩短制程技术学习曲线。而估计18英寸晶圆厂营运成本约需100亿美元,相关制程设备成本也将飙升。

蒋尚义表示,台积电的18英寸晶圆制造将起始于20纳米制程节点;该公司一开始打算在新竹的Fab12晶圆厂建置一条18英寸晶圆试产线、采用20纳米制程,时程大概在2013到2014年间。而届时台积电的12英寸晶圆厂也将进入20纳米制程;蒋尚义表示,该公司的20纳米制程初产事实上也将以12英寸晶圆厂为主。

接下来,台积电计划在台中建置首座18英寸晶圆厂,也就是Fab15,量产时程预定在2015到2016年之间。在起步阶段,该18英寸晶圆厂会采用20纳米制程,然后进入14纳米节点;而到14纳米节点,台积电打算在电晶体结构上进行转换。

在20纳米及以上节点,台积电将继续采用传统以bulk CMOS为基础的平面晶体管,但从14纳米节点开始,该公司将由bulk CMOS转向FinFET结构。也就是说,未来台积电将在Fab 15进行14纳米FinFET的量产。

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