栅极电压引线Intersil推出轻负载效率MOSFET栅极驱动器ISL6622/A/B

Intersil推出轻负载效率MOSFET栅极驱动器ISL6622/A/B

时间:2011年12月02日
Intersil公司日前宣布,推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器,为英特尔VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力,以及快速上升/下降时间, 株式会社南通薄膜SKC功能薄膜项目落户南通[求助] CP42﹑CP43初級培訓手冊市场去年供应商好利顺亚太总裁:未来半年市场不会出现供应短缺核电或腾出上亿千瓦空间 光伏有望分杯羹系统环路美国NS推出单线接口16位数模转换器DAC161P997英特尔处理器专利Nvidia反诉英特尔违反专利合同三星事业部出货量忧产能过剩 韩LED厂商扩充MOCVD趋于保守材料决定锂电池性能 国内企业抓紧布局光纤光缆需求我国光纤市场未来3至5年增长速度15%
Intersil公司日前宣布,推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器,为英特尔VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。

ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力,以及快速上升/下降时间,支持高达1MHz的开关频率。这将有助于实现非常高的总体效率。

ISL6622结合了Intersil的VR11.1 PWM控制器和N沟道MOSFET,其先进PWM协议可为先进微处理器提供完整的内核电压稳压器解决方案。

ISL6622有助于实现提高轻负载效率所需PSI模式期间的二极管仿真操作,并通过电感器电流为零时的检测实现非连续导通模式(DCM)。当检测到“零”时,低侧MOSFET处于关断状态,以防止出现吸收电流并消除伴随反向电流的功率损失。Intersil的栅极电压优化技术(GVOT)还可用于PSI模式;通过降低栅极驱动电压,可以显著降低控制轻负载条件下总功耗损失的开关损耗。这增加了ISL6622提供的总效率。

这些PWM控制器还具有自适应击穿保护功能,以防止高低侧MOSFET的同时导通。此外,这些控制器还集成了一个20kΩ的高侧栅极至源极电阻器,以防止由于高输入总线差动电压引起的自导通。

与VCC同时操作的过压保护可以降至POR阈值:PHASE节点可通过一个10kΩ电阻器连接至低侧MOSFET(LGATE)的栅极,以使转换器的输出电压保持接近低侧MOSFET栅极阈值。这种能力可以防止出现负载高侧MOSFET短路的情形。

该驱动器采用具有不同驱动电压的两种封装类型。ISL6622采用8引线SOIC封装,可在正常PWM模式期间将高侧和低侧栅极驱动至VCC;在PSI模式时将低侧栅极降至固定5.75 V典型值。ISL6222A采用10引线DFN封装,通过UVCC引脚可以将高侧栅极驱动到5V至12V;低侧栅极有一个可选的电阻器,可以在PSI模式下驱动5.75V、6.75V和7.75V的典型电压。

此次推出的新系列MOSFET驱动器适用于采用英特尔处理器构建的各种服务器、工作站、台式机和游戏主板应用。同时,它们也是VRM应用的理想设计方案。

定价及供货情况

现已上市的ISL6622/A/B采用8引线SOIC封装,1,000定购批量的定价为每片1.00美元,而10引线DFN封装的1,000定购批量定价为每片1.07美元。
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