元件量子粒子日本成功开发出嵌入锗量子点的硅基LED

日本成功开发出嵌入锗量子点的硅基LED

时间:2011年12月01日
近日,日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗(Ge)量子点的硅发光元件。 东京都市大学工学部教授、硅纳米科学研究中心主任丸泉琢说明,该发光元件是 接收器芯片信号国家半导体推出新系列车载信息系统用LVDS交叉开关批评新闻线索邮箱凌华推出MPEG4硬件影像压缩卡施密特称摩尔定律推动Android高速发展研讨会中国论文争做产业“志愿军”天马厦门公司深天马:控制人投建5.5代低温多晶硅项目技术新加坡美元Chartered开始采用65奈米技术为AMD生产芯片库存半导体平均值iSuppli不担心芯片的库存泡沫光刻客户设备ASML TWINSCAN系统实现新的里程碑太空中国旅游飞雕徐益忠:争做“天宫一号”第一人

近日,日本东京都市大学综合研究所硅纳米科学研究中心成功开发出采用锗(Ge)量子点的硅发光元件。

东京都市大学工学部教授、硅纳米科学研究中心主任丸泉琢说明,该发光元件是在基于硅的pin构造元件的i层中,嵌入了直径为数10~100nm的锗微小粒子,这种粒子具有提高电子和空穴之间重组率的作用,是藉由分子束外延法在约400℃温度下形成,因此元件的制造工艺与CMOS工艺具有兼容性。

该元件活性层部分的直径约为3μm。已确认可在室温下,通过电流注入可以发出波长为1.2μm左右的光线。发光的内部量子效率为10-2。另外,如果增加注入电流、发光强度就会大幅提高的倾向。未来将在2~3年后开发出作为光开关工作的元件。

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