端口器件功能IDT推出用于高端手机的双端口器件70P2X5与70P2X9

IDT推出用于高端手机的双端口器件70P2X5与70P2X9

时间:2011年12月01日
IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)推出用于高端手机的业界领先的灵活、低功耗、异步双端口新系列器件70P2X5与70P2X9。作为处理器之间的桥,新的IDT器件有利于手机设计人员最大限度降 三星存储器速度三星推出更高性能20纳米级NAND闪存存储器2011年1月北美半导体设备商B/B值0.85栅极电阻功率Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET半导体支出市场调研机构调降2009年半导体产业预期 业界动荡不安亚马逊音乐存储空间亚马逊宣布升级云存储服务 将支持苹果iPad笔记本电脑模块微软公司高通公司推出用于移动互联网接入的第二代Gobi内置模块苹果产品芯片苹果为新芯片继续扩大工程师团队产品芯片公司Globalfoundries年底28nm芯片流片设计完成功率放大器频段架构单一宽带射频功率放大器模块设计
IDT公司(Integrated Device Technology, Inc.)推出用于高端手机的业界领先的灵活、低功耗、异步双端口新系列器件70P2X5与70P2X9。作为处理器之间的桥,新的IDT器件有利于手机设计人员最大限度降低设备复杂性,并通过增加的设计灵活性加快上市时间。此外,凭借增加的电源平面隔离功能,这些器件显著降低了总系统功耗。

IDT 70P2X5双端口可与应用处理器和基带处理器配合使用,充分利用地址-数据复用(address-data mux,ADM)接口。与其它方法相比,该ADM接口的输入/输出(I/O)管脚数比在其他高端手机中常见的标准异步双端口SRAM的管脚数更少。IDT双端口使用减少了50%的处理器I/O引脚,释放的引脚可支持需要的差异化功能。此外,IDT双端口还部署了8个可控制和/或监控其它器件的动态可编程I/O,帮助手机设计人员增加更多的差异化功能。

IDT低功耗双端口SRAM内置的独特电源平面隔离功能有利于手机实现真正的待机状态,同时使整个处理子系统处于待机模式,显著减低用电量,延长电池寿命。对于那些采用额外逻辑或复杂可编程逻辑器件(Complex Programmable Logic Devices-CPLD)实现复杂电源管理方法的客户,IDT的低功耗双端口还可以通过省却这些额外元件,帮助降低设计复杂性。

IDT还推出了70P2X9双端口系列新器件。这些新一代产品与IDT之前的器件引脚向后兼容,无需重新设计即可实现增加的功能。为了帮助实现设计灵活性,该系列器件还在两个端口上内置了可选的ADM/非ADM操作、各种内核和I/O电源电压支持、256K密度选项和电源平面隔离功能。

供货

所有新的IDT双端口器件目前已提供样品,并以100引脚fpBGA封装供货。
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