器件浪涌传统泰科电子推出双向硅ESD保护器件

泰科电子推出双向硅ESD保护器件

时间:2011年12月01日
泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件,以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被 芯片可信操作系统英飞凌推出可信平台模块芯片英特尔诺基亚业务英特尔Meego中国业务由展讯前副总出任产业半导体中国半导体支撑产业要走“绿色”之路芯片、频率、内容成为LTE短板大陆半导体半导体产业从业人员续增大陆半导体地位日趋重要批评新闻线索邮箱TI推出集成驱动器的双相PWM控制器产能毛利率中美太阳能硅晶圆明年仍供不应求 旭晶:价格续持稳员工英特尔成都英特尔成都厂罢工风波平息 起因员工薪酬矛盾批评新闻线索邮箱ST为EEPROM产品推出超薄双面2×3mm封装
泰科电子(TE)日前宣布推出比传统半导体封装更易安装和返修的0201和0402尺寸的静电放电(ESD)器件,以扩展其硅ESD保护产品系列。该ChipSESD封装将一个硅器件和一个传统表面贴装技术(SMT)被动封装配置的各种优势结合在一起。

产品编号分别为SESD0201P1BN-0400-090 (0201 封装) 和 SESD0402P1BN-0450-090 (0402 封装)的两种器件的双向操作,可方便地在印刷电路板(PCB)上实现无定向约束安装,并免去了对极性检查的需要。不同于采用焊垫位于器件底部的传统ESD二极管封装,在器件已被安装到PCB上之后,该ChipSESD器件的被动封装还能允许方便的焊接检查。

该ChipSESD器件在8x20µs浪涌下的额定浪涌电流为2A,并具备10kV的接触放电ESD保护等级。该器件的低漏电电流(最大1.0µA)降低了功耗,快速响应时间(<1ns)有助于帮助设备通过IEC61000-4-2等级 4测试。 4.0pF (0201 封装) 和 4.5pF (0402 封装)的输入电容使得它们适合为以下应用提供保护。
手机和便携电子产品
• 数码相机和摄像机
• 计算机I/O端口
• 键盘、低压DC线、扬声器、耳机和麦克风
“分立器件不断小型化的趋势常常会使设计师们的工程样机制作变得困难而费时,并带来返修方面的挑战,以及制造工艺控制等问题。”产品经理Nicole Palma说:“泰科电子的新型ChipSESD器件有助于消除装配和制造挑战,并加快产品上市时间。它们表明泰科电子致力于向消费电子产业提供多种多样的、更小尺寸和更高性能的SMT解决方案系列。”

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