三星技术闪存NAND闪存的秘密武器 x3技术正式亮相开战

NAND闪存的秘密武器 x3技术正式亮相开战

时间:2011年12月01日
MLC(Multi-Level Cell,多级单元)技术两年前在NAND型闪存产业掀起了一阵波涛,SanDisk和东芝(Toshiba)阵营一路领先,让三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)吃尽了苦头。经此教训 课程吉尔传感器ST与麦吉尔大学携手开设全新多路传感器整合大学课程3G:丰富终端应用 驱动用户增长华为战略思科从跟随者到领路人华为战略大跨越日元积分商品改革环保积分制度促进led发展 挥别传统照明深圳华为企业深圳挽留富士康:人才吸引力成最大制约车牌区域牌照基于支持向量机的车牌定位方法电价电站市场光伏上网电价出台的冷思考讨论FUJI NXT的切刀设计台湾厂商元件台湾IC设计商MEMS发展挑战多
MLC(Multi-Level Cell,多级单元)技术两年前在NAND型闪存产业掀起了一阵波涛,SanDisk和东芝(Toshiba)阵营一路领先,让三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)吃尽了苦头。经此教训,各厂商对于下一代x3(3-bit-per-cell)技术均不敢轻视,纷纷掀起卡位战,SanDisk和东芝阵营可能再度抢得头排,三星预计2008年推出,海力士获SanDisk授权后,还没有确切的量产时间表,至于英特尔(Intel)也不会缺席,然而至今仍未表态。

过去NAND闪存每年成本下降幅度都约在40%左右,带动NAND闪存的价格快速下滑,值得注意的是,受到制程难度提升及性能递减的影响,自2006年起这样的成本下降法则已明显被打破,然而这也促使各大NAND闪存厂商兴起下一代技术x3追逐战。

内存厂商表示,两年前NAND闪存市场由SLC(Single-Level-Cell,单级单元)转到MLC时,SanDisk和东芝抢先量产MLC,使得晚一年量产的三星背负不小压力,甚至发生三星了承诺给苹果(Apple)iPod的NAND闪存是MLC芯片,但因为制程良率有问题,最后只能以成本较高的SLC交货给苹果。

由于MLC是在一个内存单元(cell)里放入2bit信息,而x3技术则是在1个内存单元中放入3个位,成本可进一步下降,未来追逐NAND闪存生产成本持续下降,制程微缩成本将愈趋明显,x3或x4技术绝对是主流趋势。不过,从SLC世代技术到MLC时代,NAND闪存成本下降约50%,然从MLC转到x3技术,或是x3到x4世代,成本下降速度恐怕不会这么快。

目前SanDisk和东芝阵营拥有技术和专利优势,在x3技术极有机会抢得头排,最先导入量产及出货;而根据三星Flash Day所揭幕的计划,x3技术将于2008年问世,有着MLC前例在先,三星这次绝对不敢轻忽;至于海力士日前已获得SanDisk授权采用x3技术生产,然而目前海力士还未公布量产的时间表;英特尔方面也仍未宣布量产时间点,不过x3技术大战,依照英特尔的技术实力,绝对是不会缺席的。

此外,研究机构Web-Feet Research预测,2012年起大部分NAND闪存厂商都将导引x3技术,届时x3技术的市场占有率将达52.8%,成为NAND闪存市场主流,MLC型产品则占25.4%,至于更新世代的x4(4-bit-per-cell)技术占16.6%,SLC技术则只占4.4%。
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