三星内存技术忆阻器技术准备迈向商业化

忆阻器技术准备迈向商业化

时间:2011年12月01日
惠普(HP)近日宣布与韩国业者海力士(Hynix)签署合作研发协议,旨在将忆阻器(memristor)技术商业化;这两家公司将共同开发新的材料与制程整合技术,好将HP的忆阻器技术由研发阶段,推向 CP43问题请教高工中国联通股价手机用户中国联通业绩下滑幅度超过预期:3G终端补贴高全球出货量需求量LED背光TV出货持续走高中国移动网络宏达3G尚在发力 4G悄然逼近新能源集团产业新能源产业长三角考察团来天能集团考察武汉市湖区家电TCL集团将在武汉设立中部战略基地三星半导体静电韦尔半导体:突破IC细分领域器件电阻电压IR坚固的新系列40V至75V车用MOSFET提供低导通电阻蓝宝石中美产能中美晶:今年3大产品线持续向上成长
惠普(HP)近日宣布与韩国业者海力士(Hynix)签署合作研发协议,旨在将忆阻器(memristor)技术商业化;这两家公司将共同开发新的材料与制程整合技术,好将HP的忆阻器技术由研发阶段,推向以电阻式随机存取内存(resistive random access memory,ReRAM)形式呈现的商业化开发阶段。

HP表示,双方的合作并非是排他的,该公司也有可能与其它厂商在 ReRAM 领域合作;而HP资深院士暨HP信息与量子系统实验室创始总监Stan Williams表示,该公司本身并不打算涉足ReRAM 业务。他在接受EETimes美国版采访时透露,未来HP期望将ReRAM运用在自家产品中,但目前尚不能公开是哪种产品。

Williams指出,在初期,HP将与Hynix在芯片方面进行合作;接下来,HP期望将合作范围扩及其它内存厂商。他表示,这将让产业界能以具竞争力的价格买到ReRAM。

Hynix将在自有实验室进行忆阻器的实作;该公司在内存技术方面是多方下注,目前也涉足其它竞争性内存技术的研究,包括与三星电子(Samsung Electronics)共同研发 MRAM 技术,以及与Grandis合作研发一种称为「自旋转移力矩随机存取内存(spin-transfer torque RAM)」的新一代MRAM技术。

ReRAM与FeRAM、MRAM还有相变化内存(phase-change memory),都是新一代的内存技术;根据HP的介绍,ReRAM是一种低功耗的非挥发性内存,具备取代闪存的潜力,此外也有机会用以做为通用储存媒介──也就是能扮演目前闪存、DRAM甚至是硬盘机等储存装置的角色。

Williams表示,采用ReRAM的终端产品预计在2013年底问世:「这是一种黑马级的技术,我认为它将会脱颖而出。」HP与Hynix尚未定义出将采用ReRAM的第一批终端产品,但Williams认为,该种内存技术是固态储存、PC主存储器与其它产品的理想选择。
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