器件半导体效率飞兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

飞兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

时间:2011年12月01日
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封装,型号为 FDMS7650。FDMS7650 可以用作负载开关 电压电容电阻LM2917电压转换器的原理及性能参数行业景气季度电子行业:景气面临回落 政策刺激或再起波澜构件版本乘法Actel LIBERO IDE 8.5软件工具支持其NANO FPGA嘉兴市产业嘉兴嘉兴光伏产业能否挑起破千亿的大梁?芯片标准双频Synad推出支持IEEE 802.11abg的无线局域网芯片英特尔大连纳米英特尔芯片大连造的缘由奇美电子:今年将在国内销售300万片3D面板太阳能电池集团宁晋晶龙投资12亿元扩建太阳能电池生产线批评新闻线索编辑深航盛电子总经理杨洪:行大道才能成大业
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件,采用Power 56封装,型号为 FDMS7650FDMS7650 可以用作负载开关或ORing FET,为服务器中心 (server farm) 在许多电源并行安排的情况下提供分担负载功能。FET的连续导通特性,可降低功耗和提高效率,以提升服务器中心的总体效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封装以突破1 mOhm 障碍的MOSFET器件,最大RDS(ON) 仅为0.99 mOhm,能够减少传导损耗,提高应用的总体效率。例如,与一个使用2.0 mOhm MOSFET的典型应用相比,这款30V MOSFET便能够以一半的FET数目,提供相同的总体RDS(ON)。

  FDMS7650 采用飞兆半导体性能先进的 PowerTrench® MOSFET 技术,提供具突破性的RDS(ON) 。这项技术拥有出色的低 RDS(ON)、总体栅极电荷(QG) 和米勒电荷 (QGD) ,能最大限度地减少传导和开关损耗,从而带来更高的效率。

  率先突破1mOhm最大RDS(ON)障碍提高服务器中心 (server farm) 的效率。

  这款功率MOSFET器件是飞兆半导体众多 MOSFET 器件之一,为功率设计提供了卓越的优势。这个系列的其它出色产品还有飞兆半导体的30V双N沟道MOSFET器件 FDMC8200和FDMS9600,FDMC8200通常具有24 mOhm 的高侧RDS(ON) ,以及9.5 mOhm的低侧RDS(ON) ,有效提高了 DC-DC 应用的效率。FDMS9600 则通过降低高侧 MOSFET 的开关损耗,以及低侧 MOSFET的传导损耗,为同步降压应用提供最佳的功率级。

  价格(订购1,000个,每个): 0.95美元

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