晶体管功率放大器富士通富士通针对PA开发出CMOS逻辑高压晶体管

富士通针对PA开发出CMOS逻辑高压晶体管

时间:2011年12月01日
富士通微电子(Fujitsu Microelectronics)发表CMOS逻辑高电压晶体管的最新开发进展,此款晶体管具备高击穿电压的特性,适合支持无线装置所使用的功率放大器(PA)。富士通所开发的这款45奈米 东芝液晶电视中国东芝推首款同屏显示裸眼3D笔记本电池薄膜太阳能电池武汉将生产薄膜太阳能电池索尼设备阅读器索尼申请笔记本、电子阅读器两用设备专利批评新闻线索邮箱Renesas车载M32192组微控制器接口串口主板华北工控新推出基于Intel Pineview-M的低功耗EPIC主板英飞凌推出两个型号的600V RC-D快速IGBT滤波器无源设计方案TI推出普及型FilterPro设计工具的最新版本2011LED技术趋势:LED背光源的发展再给力广东省广州市广东广州每年将拿出一亿元重点打造物联网
富士通微电子(Fujitsu Microelectronics)发表CMOS逻辑高电压晶体管的最新开发进展,此款晶体管具备高击穿电压的特性,适合支持无线装置所使用的功率放大器(PA)。

富士通所开发的这款45奈米CMOS晶体管,能支持10V功率输出,让晶体管能因应各种高输出规格,满足WiMAX与其它高频应用中功率放大器的规格需求。此外,该新技术并实现了在同一晶粒(die)中藉由CMOS逻辑控制电路,达到单

芯片整合的目标,可进而开发出高效能、低成本的功率放大器。


富士通开发的新晶体管结构具有多项关键特性。晶体管的汲极周围有一个「轻微掺杂汲极」(lightly doped drain;LDD)区域,覆盖在闸极上。这种设计能降低水准延伸至汲极的电场,以及延伸至闸极氧化层的电场,故能提高击穿电压。


晶体管信道中的杂质(dopant),呈侧面渐层分布。这种模式能降低信道中汲极侧的掺入杂质密度,进而限制了汲极电阻的提高幅度,此电阻是导通电阻(on-resistance)的主要来源。它亦降低水准延伸至汲极的电场,进而提高击穿电压。


要提高CMOS晶体管击穿电压,传统的作法是拉大闸极与汲极之间的间距。这种新开发的技术比传统方法更能有效抑制导通电阻,而且不必拉大间距。此外,这种新结构技术与3.3V I/O电压的标准晶体管维持极高的兼容性,因为它仅需要几个额外的步骤,以生成LDD区域以及客制化信道区域。


藉由采用45奈米制程技术把新型晶体管技术套用到3.3V I/O标准晶体管,富士通开发出第一个把击穿电压从6V提高到10V的晶体管。在晶体管结构方面,为了让新晶体管适合用在功率放大器,在最高震荡频率43GHz下1mm (0.6W/mm)闸极宽度达到0.6W功率输出,如此效能足以作为WiMAX的电源晶体管。


富士通新开发的高电压晶体管,可让业者更容易开发出具备高击穿电压、且适用在功率放大器的CMOS逻辑晶体管,将功率放大器与控制电路整合在单一芯片中,实现低成本、高效能功率放大器模块的目标。

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