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英特尔发布22nm技术 采用Tri-Gate晶体管

时间:2011年12月01日
英特尔于5月4日宣布将在22nm节点采用“Tri-Gate”(三栅)晶体管技术,实现了历史性的技术突破。据英特尔介绍说,3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度,它能让摩尔定律延续数年。该 苹果公司水货用户iPhone 4S仍饥饿营销 用户支持率显降fujifelxa连线问题三星专利欧亚Crocus科技宣布收购恩智浦的MRAM专利电容器(7)——日系品牌之松下(组图)传感器测量惯性ADISl6300四自由度IMU在姿态测量中的应用戴尔信息技术企业戴尔:信息技术推动科技创新是经济复苏关键湖北襄阳城市照明将向节能光源靠拢平台德州仪器技术赛灵思与安富利及TI携手推出Spartan-3A DSP FPGA/DaVinci开发平台中芯国际欲460亿元北京新建晶圆厂

英特尔于5月4日宣布将在22nm节点采用“Tri-Gate”(三栅)晶体管技术,实现了历史性的技术突破。

据英特尔介绍说,3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度,它能让摩尔定律延续数年。该技术能促进处理器性能大幅提升,并且可以更节能,新技术将用在未来22纳米设备中,包括小的手机到大的云计算服务器都可以使用。

英特尔展示了22纳米处理器,代号为Ivy Bridge,它将是首款使用3-D Tri-Gate晶体管的量产芯片

英特尔CEO欧德宁说:“英特尔的科学家和工程师曾经重新发明晶体管,这一次利用了3D架构。很让人震惊,改变世界的设备将被创造出来,我们将把摩尔定律带入新的领域。”

长久以来,科学家就认识到3D架构可以延长摩尔定律时限。这次突破可以让英特尔量产3-D Tri-Gate晶体管,从而进入到摩尔定律的下一领域。

摩尔定律认为由于硅技术的发展,每2年晶体管密度就会翻倍,它能增强功能和性能,降低成本。在过去四十年里,摩尔定律成为半导体产业的基本商业模式。  

通过使用3D晶体管,芯片可以在低电压和低漏电下运行,从而使性能和能耗取得大幅改进。在低电压条件下,22纳米的3-D Tri-Gate晶体管比英特尔32纳米平面晶体管性能提高37%。这意味着它能用在许多小的手持设备中。另外,在相同的性能条件下,新的晶体管耗电不及2D平板晶体管、32纳米芯片的一半。

首款3-D Tri-Gate晶体管22纳米芯片代号为Ivy Bridge,英特尔展示了该芯片,它能用在笔记本、服务器和台式机中。Ivy Bridge家族的芯片将成为首个大量生产的3-D Tri-Gate晶体管芯片,它将在年底开始量产。3-D Tri-Gate晶体管还将用在凌动芯片中。

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