三星量产生产线三星电子全球最大规模半导体生产线竣工投产

三星电子全球最大规模半导体生产线竣工投产

时间:2011年11月29日
9月22日,三星电子16号半导体生产线竣工投产,该生产线为全球最大规模半导体生产线,主要产品为20纳米级NAND闪存,记者从三星方面了解到,三星电子本月还将首次实现20纳米级DDR3内存 系统业务流程平台Commerce One全新集成应用平台灯饰行业光源解析LED 照明的潜在发展方向三星操作系统产品迟来也支持 谷歌Android 4.0发布会五大看点英特尔芯片平板ARM将着手讨论实施生产芯片计划方正解决方案企业InfoPrint携手方正电子 共谱数码出版传奇平板电脑品牌明年3-6月平板电脑上市井喷 国产品牌抢先斩露头角家电三星智能家电企业热战物联网 意在开辟盈利新大陆放大器数字耳机ROHM成功开发出数字输入Hi-Fi D类耳机放大器LSI器件调光驱动器PI推出 LinkSwitch-PH系列LED驱动器IC

9月22日,三星电子16号半导体生产线竣工投产,该生产线为全球最大规模半导体生产线,主要产品为20纳米级NAND闪存,记者从三星方面了解到,三星电子本月还将首次实现20纳米级DDR3内存设备的量产,成为全球最早量产20纳米级存储器产品的企业。

据悉,三星电子16号半导体生产线自去年5月开工建设,经过短短的15个月即投入运行,总面积约为20万平方米,建筑达12层,也是全球最大规模,最先进的半导体生产线。

三星电子方面表示,三星电子16号半导体生产线今年2月竣工、5月建成洁净室(CleanRoom)、6月开始产品测试、8月完备量产系统,计划从本月起,每月生产1万片以上的12英寸晶圆20纳米高速NAND闪存。有业内人士称,以此为契机,三星电子在巩固其内存领先企业地位的同时,也为全球IT市场注入了新的活力,为以后的发展打下了良好的基础。到今年末为止,三星将按照NAND闪存的需求,逐渐增加12英寸晶圆的生产规模,明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。

此外,本月将实现量产的三星20纳米级DDR3内存拥有与去年7月研发的30纳米级DDR3内存的同等性能,同时提高了约50%生产效率,节约了40%以上的耗电量,是名副其实的绿色内存。

三星计划今年内研发20纳米级4GbDDR3内存,明年开始量产4GB、8GB、16GB、32GB等大容量产品。三星将从企业服务器市场到笔记本市场等各种IT市场上不断扩大绿色内存的比重。

三星集团李健熙会长、索尼集团中川裕副会长等500余名IT界人士出席了22日的16号生产线竣工仪式暨20纳米级DRAM量产仪式。

三星李健熙会长表示:“这次16号生产线的竣工投产让我们拥有了全球最先进的工程生产线,也让我们更加稳定地向顾客供应更多的尖端产品,加强了三星独有的竞争力。”

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