纳米技术半导体半导体制程微缩至28纳米 先进封装技术

半导体制程微缩至28纳米 先进封装技术

时间:2011年11月29日
随着半导体制程微缩到28纳米,封测技术也跟着朝先进制程演进,日月光、矽品、京元电、力成、颀邦等一线大厂,皆加码布局3DIC及相对应的系统级封装(SiP)产能,包括矽穿孔(TSV)、铜柱 电表电网智能关于智能电表现状和前景的分析三星英特尔组合传英特尔有意收购InterDigital知识产权组合速度方式产品东芝将开始量产使用多值NAND的2.5英寸256GB SSD扬声器放大器均衡器欧胜新款单声道数模转换器让小喇叭发出靓声音卡尔美国晚间飞思卡尔提交IPO申请拟融资11.5亿美元总结2011广州国际LED照明展 把脉中国产业动向电压转换器缩放AnalogicTech推出高电压缩放效率降压转换器微电子半导体公司跨国公司欲抄底中国芯片设计产业赛维LDK:世界光伏领袖企业之梦

随着半导体制程微缩到28纳米,封测技术也跟着朝先进制程演进,日月光、矽品、京元电、力成、颀邦等一线大厂,皆加码布局3DIC及相对应的系统级封装(SiP)产能,包括矽穿孔(TSV)、铜柱凸块(Copper PillarBump)等。封测业者预估,最快2011年第4季应可接单量产。

台积电28纳米制程已在2011年第2季正式量产,预计到第3季应可持续放量。联电在日前法说会曾指出,该公司已有相关40-28纳米的规划,预料28纳米的发展会比40-65奈米为快,28奈米制程在2012年可望与40纳米同步。

半导体制程进入28纳米时代,封装技术也跟着同步演进,包括3DIC相对的SiP、TSV以及铜柱凸块,都是业者加码布局的重点。随着TSV加工技术进步,与加工成本下滑,预估采用TSV3DIC技术的半导体产品出货量市占比重,将从2009年的0.9%提高至2015年的14%。

SEMI台湾暨东南亚区总裁曹世纶表示,3DIC是半导体封装的必然趋势,现在所有产业链中的厂商都在寻找更经济的解决方案和合作伙伴,希望尽早克服技术瓶颈,达成量产目标。

3DIC将是后PC时代主流,力成、尔必达(Elpida)与联电将针对28纳米及以下制程,提!升3DIC整合技术,预计于第3季进入试产阶段,其他封测大厂包括日月光、矽品等,也积极部署3D堆叠封装技术,2012~2013年将可以见到明显增温态势。

日月光集团总经理暨研发长唐和明指出,由于使用矽基=(Silicon Interposer)的2.5DIC供应链已大致完备,2.5DIC的导入预期会帮助半导体技术顺利地由40奈米导入28纳米及以下。在电脑及智慧型手机等应用驱动下,预估至2013年2.5D与3DIC的商业化产品将有机会问世。

艾克尔在日前的法说会上提及,该公司在第2季资本支出达9,700万美元,用于支应晶片尺寸覆晶封装(FCCSP)、堆叠式FCCSP(flipchipstacked CSP)、细线路铜柱凸块覆晶封装(finepitchcopperpillarflipchip)等新一代先进封装技术。该公司表示,在积极着墨下,上述封装技术的2011年上半营收比2010年同期倍增。

台湾3大封测厂皆具备铜柱凸块相关技术能力,在铜打线制程领先的日月光铜柱凸块,已开始送样认证。根据客户产品蓝图规划,随着28纳米制程在2012年跃升主流,也将推升铜柱凸块需求大幅成长。力成已有相关机台到位,并与客户进行认证中,预计2011年第4季~2012年第1季即可量产。

颀邦和京元电于2011年3月签订合作备忘录。着眼于电子产品轻薄短小为市场趋势,电源管理IC为加强散热以及增加电压,对于厚铜制程需求开始浮现,且厚铜制程与金凸块、锡铅凸块制程类似,机器设备?|性高,电源管理IC便成为颀邦及京元电共同合作布局的新领域。同时中小尺寸LCD驱动IC转向12吋厂生产,8吋金凸块产能开始闲置,朝向厚铜制程方向发展也可解决8吋金凸块产能过剩问题。

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