功率芯片模块英飞凌展出配备SiC JFET的功率模块等

英飞凌展出配备SiC JFET的功率模块等

时间:2011年11月29日
德国英飞凌科技在东京举行的展会“智能电网展2011&新一代汽车产业展2011”(举办期间:2011年6月15日~17日)上,展出了各种功率模块。比如,配备SiCJFET的产品和延长了功率循环寿命的 太阳能太阳能电池全球得可太阳能任命Alex Kuo担任可替代能源全球事业总监韩元同期高于三星电子第二季净利33亿美元 同比下滑18%平板电脑产品用户体验推动谷歌Android进入平板电脑领域系统应用程序平板Android平板电脑概念融入电动汽车多媒体系统东莞路灯东莞市东莞:以集成性应用 推进半导体照明发展产品控制器渠道LSI与Intel扩展SAS/SATA RAID合作协议操作员工艺简便得可扩充Instinctiv V9软件二维检控功能京东方北京技术京东方陈炎顺:要让国人用上国产液晶屏装置激光电子束掩膜制造成本降低15% Micronic开发面向45nm的掩膜绘制装置

德国英飞凌科技在东京举行的展会“智能电网展2011&新一代汽车产业展2011”(举办期间:2011年6月15日~17日)上,展出了各种功率模块。比如,配备SiCJFET的产品和延长了功率循环寿命的产品等。

功率模块将耐压为1200V、导通电阻为100mΩ的SiCJFET配备于3枚芯片上。外形尺寸“约为2~3mm见方”(解说员)。每枚芯片的电流容量为10A。

由于SiCJFET常开工作,因此为实现常开化进行了多段连接。将用于多段连接的30V耐压p通道硅MOSFET配备于2枚芯片上。利用英飞凌名为“直接驱动”的方法,直接开关SiCJFET进行驱动。与开关多段连接的MOSFET进行控制的方法相比,可降低接通时的环状噪声。

英飞凌计划在2011年内分别上市利用SiCJFET的功率模块产品和采用TO220等封装的SiCJFET芯片。模块尺寸约为63mm×34mm×16mm(含端子等在内)。

功率循环寿命延至10倍

在会场上,英飞凌还展示了功率循环寿命延至原产品10倍的功率模块。采用了名为“.XT”的技术。通过改变功率半导体芯片的键合引线材料、以及改进芯片与DCB基板之间的接合技术,延长了功率循环寿命。

此次,英飞凌将键合引线的材料由铝改为铜。一般情况下,使用铜“除了材料费较高外,还存在容易氧化、很难做成锡球等技术方面的课题”(解说员)。该公司没有公布详情,不过称现已解决该课题,提高了产品的可靠性。该公司表示,利用铜线的键合技术已用于其MOSFET等,此次就是以该技术为基础的。

另外,英飞凌为接合功率半导体芯片和DCB基板采用了名为“扩散焊接方式”的方法。由于与普通方法相比,焊锡层较薄并且热阻较小等,能提高产品的可靠性。

英飞凌在会场上展示了利用上述.XT技术的耐压1200V、电流900A的IGBT功率模块。

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