半导体奥地利量产强化电源战 英飞凌拟改12寸晶圆量产

强化电源战 英飞凌拟改12寸晶圆量产

时间:2011年11月29日
继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后,在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计画,希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级 武汉激光器团队武汉迪源光电总经理董志江:三年内让LED灯大降价.富士通液晶产品富士通推出新款8位微控制器MB95F128和MB95F168索尼中国三星索尼中国董事长:要实现设计研发本地化主体广电网络CCBN落幕思考:双重缺失下的产业躁动美元收益半导体一季度财报分析:谁才是模拟收购目标?中国彩色复合机舟仓忠幸:做中国彩色商务革命的发起者电流电压功能Microchip扩展高电流LDO系列测量射频测试安捷伦科技推出手持式频谱分析仪解决方案套件连接器Premier Farnell与Molex加强在亚洲的合作

继德州仪器(TI)积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后,在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌(Infineon)也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计画,希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂,以因应市场持续高涨的节能需求,并巩固既有市场地位。

台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥指出,超接面MOSFET将是未来功率半导体市场的主流。

台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥表示,该公司已在奥地利展开12寸晶圆量产研发工作,主要将用于超接合(SuperJunction)技术的金属氧化物半导体场效应电晶体(MOSFET)等功率半导体元件的生产,一旦相关发展成熟后,将可移植至马来西亚的晶圆厂进行量产。

由于超接面MOSFET可较传统平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上实现更低的导通电阻与切换损失,进而提升每单位面积的功率密度,因此,在节能意识抬头的市场环境中,重要性与日俱增,产品渗透率也节节攀升。

不过,与平面式MOSFET相比,目前超接面MOSFET产品价格仍偏高,所以英飞凌所推行的12寸晶圆量产计画,将有助进一步降低超接面MOSFET成本,为该市场的起飞预先作好准备。詹启祥分析,尽管目前传统平面式MOSFET的市场规模仍占大宗,但未来超接面MOSFET方案将会快速放量成长,两者将呈现明显的消长态势。

位于奥地利菲拉赫(Villach)的英飞凌奥地利分公司,是英飞凌极为重要的研发和制造中心,规模仅次于德国总部与马来西亚分公司,专精于应用在汽车和工业暨多重市场的能源效率方案开发,并致力以低转换损失的功率半导体实现系统的微型化和高能效发展;此外,感测器和非接触式安全晶片亦是另一研发重点。

詹启祥强调,历经有线与无线事业部门的切割后,现今的英飞凌已处于最佳的发展状态,产品组合也更为聚焦,尤其是功率半导体、绝缘栅双极电晶体(IGBT)及碳化矽(SiC)萧特基二极体等方案,更是该公司最自豪的优势,对汽车和工业暨多重市场的拓展,将是莫大的助益。

据了解,,英飞凌于2010年会计年度的研发费用高达3亿9,900万欧元,占总体营收比重的25%,较2009年会计年度的1亿9,500万欧元(占总营收约22%)大幅攀升。

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