芯片住友纳米总结LED芯片及封装设计生产最新研究动态

总结LED芯片及封装设计生产最新研究动态

时间:2011年11月29日
Epistar将162Lm/W的白色LED灯投入照明应用 LED产商Epistar展示了他们关于能让冷白色(5000k)LED达到162Lm/W的高电压LED芯片的研究结果。 该芯片被描述为一个单片集成,直流多阵列的高电压应用 去年全球Q4液晶电视季增39% LED背光达3成器件功耗电流在嵌入式设计中降低CPLD的功耗电流电池适配器TI采用新电池管理技术推出高集成度充电器灯泡中国大陆价格叶寅夫:两岸亟待出台共同LED照明标准三星中国液晶电视LG Display宣布40亿美元广州建液晶面板厂中国解决方案产品TI 深圳举办LED技术研讨会,解决工程师开发难题批评新闻线索邮箱C&D发布专为以太网供电而设计的DC-DC转换器FUJICP642求救印度华为厂商华为中兴在印度损失超10亿美元

Epistar将162Lm/W的白色LED灯投入照明应用

LED产商Epistar展示了他们关于能让冷白色(5000k)LED达到162Lm/W的高电压LED芯片的研究结果。

该芯片被描述为一个单片集成,直流多阵列的高电压应用LED芯片。Epistar预计这个产品将成为普通照明的主流产品。

通过20mA的驱动电流和47V电压达到162Lm/W的发光效率,相应的功耗为0.94W.在这些条件下,45-mil的芯片可以产生152Lm.

Epistar说HV-LED相对于传统LED有着低电力需求和更高的插座效率,因为其强大的新高电压芯片的设计。据公司称,HV-LED对电压和电流变化的灵活性可以简化LED的包装和电路设计,从而使整体效率提高。

SMASH项目的进展

SMASH项目公开发表了第二封信。SMASH的目标是通过建立破坏性的方式通过纳米结构的材料制造LED,达到高效率和低成本的设备。这些目标会通过超低缺陷的纳米结构模板组成的LED的外延生长和基于纳米棒发射的LED结构的发展来完成。这些方法会对生产费用有很大的影响,因为它们允许大面积但是低成本的基板(比如说硅)的增长。

最为关键的一个步骤是MOVPE的。这是由OsramOptoSemiconductor与布伦瑞克技术大学紧密合作而一起完成的。

SMASH的网站和信都包含了一份2010年International Workshopon Nitride Semiconductors (2010年9月19-24)的总结。

Verticle展示了第一款六角形的LED芯片

SemiconductorToday上的一篇文章提到:座落在美国加州都柏林的Verticle公司发表了他们称作为第一款六角形的LED芯片。这种蜂窝型的LED芯片是竖向结构的,以InGaN为基础的蓝色LED芯片,它们是特别为高压应用制造的。CEOMike(M.C.)说,和传统的正方形或者长方形结构的LED芯片相比,一个六角形的芯片在各个方面比如成本,光输出效率和束流剖面都会获得收益。

住友电工开发出6英寸的GaN基板

据日本的一本杂志上说,住友电工开发了世界上第一块直径为6英寸的应用在白色LED上的GaNg基板。之前,该公司为蓝紫色激光器生产2英寸的GaN基板,这使蓝光DVD播放机得以发明和生产。住友电工开始大规模的生产为白色LED灯使用的2英寸GaN基板,与此同时也在发展大直径基板。

这个新开发出来的6英寸基板的表面是一个一极化c面。住友电工现在正在努力的尝试着大规模的生产它,并且希望这种材料能被白色LED灯和功率器件广泛的使用。

纳米棒的阵列产生天然白色的LED

据OptolQ上的一篇论文所述,国立清华大学(台湾新竹市)的研究员为无磷白色LED灯发明了一种新的配方。

这种模式是把GaN纳米棒排列在硅(Si)基板上,这为日益增长的无压力InGaN/GaN的异质结构纳米棒提供了一个模板,这项技术可以用来消除压电极化效应。

LED的包装和组装

在MEPTEC半导体封装发展蓝图研讨会(2010年10月份在圣克拉拉,加利福尼亚举行)上,ElectrolQ采访了Tech Search International的总裁Jan Vardaman.他说LED的包装和组装还有可发展的空间。

在这场和Debra Vogler(一个资深的技术编辑)的采访中,Vardaman讨论了蓝宝石基板和SiC基板,顺带着讨论了一下LED生产商现在所使用的多种多样的方法。还讨论了基板晶片的尺寸和LED的生产准则。

蓝色的半极化GaNLED

来自于圣巴巴拉的加州大学(UCSB)和三菱化学株式会社(日本茨城县)的研究人员们为以氮化镓(GaN)为基础的蓝色LED新开发了一项背面粗化技术。据OptolQ网站上的一篇论文声称,这一技术使以氮化镓(GaN)为基础的蓝色LED在性能和生产方法上可以和纤维锌矿c平面LED相提并论。

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