半导体技术芯片先驰得点 联电65纳米eFlash制程问世

先驰得点 联电65纳米eFlash制程问世

时间:2011年11月29日
抢在台积电之前,联电日前率先与合作伙伴美高森美(Microsemi)共同发布首款采用65奈米嵌入式快闪(Embedded Flash,eFlash)制程技术生产的现场可编程门阵列(FPGA)平台,让eFlash制程技术顺利迈入 TD-SCDMA电源方案欧胜的电源管理芯片WM8310已被联芯采用苹果iCloud同步服务与微软Windows XP无缘电子学晶体管集成电路OLED固态光源的优势和应用前景集成电路企业政策措施国务院:进一步鼓励软件和集成电路发展NXT I/O 无法勾选信号选项英特尔天线信号英特尔修改Wi-Fi技术增加传输距离美计划增加太阳能研发预算 光伏板块整体走批评新闻线索邮箱Renesas包含CPU和PCI总线的处理器内核戴尔处理器AMD下周推3内核芯重击英特尔 戴尔首吃螃蟹

抢在台积电之前,联电日前率先与合作伙伴美高森美(Microsemi)共同发布首款采用65奈米嵌入式快闪(Embedded Flash,eFlash)制程技术生产的现场可编程门阵列(FPGA)平台,让eFlash制程技术顺利迈入65奈米世代,对其未来进一步拓展汽车、工业、医疗及航天等半导体市场将大有帮助。

美高森美系统单芯片产品事业群资深营销及业务副总裁Jay Legenhausen表示,65奈米eFlash技术对该公司产品安全性、可靠性与整合度的提升均大有帮助。

甫于日前收购爱特(Actel))的美高森美系统单芯片(SoC)产品事业群资深营销及业务副总裁JayLegenhausen表示,相较前一代技术,该公司采用联电65奈米eFlash制程的新一代FPGA平台,在逻辑密度、效能及功耗表现上均更为出色,因而能满足工业、医疗、军事、航天、通讯和消费市场更多的设计要求。

目前,美高森美已自联电成功取得首个硅晶圆样品,并着手与商业和工业市场的特定客户展开先导计划,全力协助这些客户顺利进行导入设计。

事实上,在尚未被美高森美购并前,爱特便与联电在eFlash制程上拥有相当密切的合作关系,该公司采用130奈米eFlash制程开发的IGLOO低功耗FPGA即是由联电所生产。此次,联电一举将eFlash制程推进至65奈米,不论对该公司或半导体业界而言,均具有重大意义。

据了解,包括台积电与意法半导体(ST)先前也都公开表示已投入65奈米及55奈米eFlash技术开发。台积电系于2009年底与英飞凌(Infineon)宣布将共同研发65奈米eFlash制程,以开发符合更严苛质量要求的车用微控制器(MCU)及更高安全性的芯片卡,预计将于2012年下半年完成相关产品与制程验证工作;而意法半导体则是投入55奈米eFlash制程研发,同样也将用于车用MCU生产,预计2011年中可开始提供样品。

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